Полная версия сайта находится в разработке
ООО «Интерган» работает по самым передовым направлениям развития изделий и технологий полупроводниковой микроэлектроники. К ним относятся интерпозеры для 2,5 и 3D сборки, широкозонные полупроводники на основе нитрида галлия, карбида кремния для изделий СВЧ-, силовой и автомобильной электроники, включая изготовление чипов и современные методы их сборки. ООО «Интерган» ставит цель внести свой вклад в развитие в стране компонентов для современных средств коммуникаций, включая 5G, и новых транспортных средств с электрическим и гибридным приводом. Для реализации этих задач компания сотрудничает с передовыми зарубежными и российскими компаниями и заказчиками. Но современные передовые изделия по кремниевым технологиям также остаются в поле зрения деятельности компании в сфере автомобильной и силовой электроники. Компания открыта для сотрудничества со всеми заинтересованными организациями и людьми.
Микросхемы драйверов, контроллеров для Si-, SiC-, GaN- компонентов
Дискретные электронные компоненты на широкозонных полупроводниках
SiC MOSFET транзисторы и чипы
SiC диоды и чипы
GaN HEMT транзисторы и чипы
GaN диоды и чипы
СВЧ компоненты и чипы
Кремниевые интерпозеры
Автомобильные электронные компоненты
Фаундри SiC MOSFET и диодов Шоттки
Фаундри GaN HEMT и микросхем
Фаундри кремниевых интерпозеров